主要用途

RPD蒸镀制备ITO导电膜

物理及化学特性

化      学      式：                                  In2O3/SnO2

外                观：                                  绿色块状陶瓷

晶     粒       度：                                  5~15µm

电     阻       率：                                  1.2×10-4Ω·cm

线   胀  系   数：                                  5.8×10-6K-1

相  对   密   度：                                  60±2%

纯                度：                                  ≥99.99%

产品检测方法

晶      粒      度：                                  扫描电镜（SEM）观察。

纯                度：                                  ICP—AES分析测试杂质含量。

密                度：                                  手测法（千分尺、分析天平）。